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蘭州大功率測試IGBT系統(tǒng)

在IGBT不斷向高頻、高溫、高壓、大功率方向發(fā)展的同時,IGBT的開關損耗嚴重制約了其開關頻率的提高,較大的電壓變化率和電流變化率…

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大功率測試IGBT系統(tǒng)

在..性的能源短缺和環(huán)境惡化問題日益嚴重的..,以IGBT為代表的功率半導體器件以優(yōu)良的性能廣泛應用于航空航天、交通運輸、綠色照明、智能家電、交流電機等領域。在IGBT不斷向高頻、高溫、高壓、大功率方向發(fā)展的同時,IGBT的開關損耗嚴重制約了其開關頻率的提高,較大的電壓變化率和電流變化率所引起的電壓和電流過沖會使IGBT應用電路的可靠性下降,同時也會帶來大量的電磁污染。因此,正確選擇IGBT模塊并對其工作環(huán)境進行合理的設計可以大大..如電氣寄生參數治理、熱分布管理以及EMI等工作量,不僅能提高產品的可靠性,同時也可以縮短產品的研發(fā)周期。

半導體廠商所提供的器件數據手冊對設計者有一定的參考價值,但是由于其測試數據本身的不可重復性,使得特定工作環(huán)境(環(huán)路寄生參數、驅動條件、環(huán)境溫度等)下的IGBT器件的工作狀態(tài)難以準確的預測,從而導致器件的實際應用效果與設計之間存在偏差,進而影響整個變換器系統(tǒng)的性能。通過合理的IGBT測試技術,可以得到電路參數對器件特性的影響,如封裝和電路的寄生參數、工作電壓、電流、柵極驅動、溫度等,進而獲取能夠充分反映模塊特性的數據并用于IGBT行為模型的建立?;诖罅繙y試數據建立起來的行為模型能夠較為準確地進行開關損耗、電氣應力等方面的預測,對提高變流器效率、指導電力電子裝置的熱設計、對整體裝置進行壽命預測以及考量工作環(huán)境適應性等具有重要的意義。所以IGBT特性測試成為電力電子領域的一個研究熱點。 

大功率IGBT測試平臺能對IGBT進行雙脈沖測試、浪涌電流測試、短路測試(包括三類短路試驗)、短路失效測試,能對IGBT的反并聯(lián)二極管進行10ms、20ms等脈寬的半正弦浪涌電流測試等。

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